徐建萍
,
林应斌
,
王建峰
,
张凤鸣
,
都有为
功能材料
研究了空气和真空氛围烧结的溶胶-凝胶制备的Ti0.962Mn0.038O2薄膜的结构和磁学性质.结构测量表明,在空气和真空两种氛围,样品经过500℃烧结,均为单一的锐钛矿相.真空中烧结的样品存在更多的氧空位或结构缺陷.磁性测量表明:在两种氛围烧结的样品均具有室温铁磁性,在真空中烧结的样品的磁性明显强于空气中烧结的样品,前者饱和磁化强度为0.285μB/Mn,后者饱和磁化强度为0.08μB/Mn.实验结果表明氧空位或结构缺陷增多,有利于Mn离子之间通过氧空位或结构缺陷发生铁磁交换作用,从而导致薄膜磁性增强.
关键词:
稀磁半导体
,
氧空位
,
缺陷
杨帅
,
邓晓冉
,
徐建萍
,
陈贵锋
,
闫文博
硅酸盐通报
本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.
关键词:
辐照缺陷
,
硅
,
双空位
,
FTIR
杨帅
,
邓晓冉
,
徐建萍
,
陈贵锋
,
张辉
硅酸盐通报
本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为.实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O (840 cm-1)和VO2 (919.6 cm-1)的红外吸收峰；当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL)的红外吸收光谱中会有较强的VO2 (889 cm-1)的吸收峰,而在高剂量辐照样品(SH)中则会有较强的V2O2(825 cm-1)和VO2(919.6 cm-1)的吸收峰.分析认为,在低剂量辐照样品中VO主要是通过与Oi结合形成稳定的VO2而消失；而在高剂量辐照条件下VO则是通过相互结合形成V2O2或与Oi结合形成VO2而消失.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
缺陷
,
A中心
