冯广杰
,
李卓然
,
朱洪羽
,
徐慨
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.01.001
在高真空条件下采用Ti-35Zr-35Ni-15Cu(质量分数/％)钎料对SiC陶瓷进行了钎焊连接,研究了接头界面组织的形成过程以及工艺参数对接头性能的影响.结果表明:钎料与SiC陶瓷发生了复杂的界面反应,生成了多种界面产物.当钎焊温度为960℃,保温时间为10min时,SiC陶瓷侧形成了连续的Ti...
关键词:
SiC陶瓷
,
真空钎焊
,
显微组织
,
剪切强度
