刘雪珍
,
鲍善永
,
张欢欢
,
马春雨
,
徐晓明
,
张庆瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00369
采用脉冲激光沉积的方法, 利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶, 在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜. 利用X射线衍射(XRD)、电子探针、吸收光谱对薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成进行了定量分析, 研究了沉积过程中氧气压力对薄膜中Co含量的影响, 定量讨论了薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成与薄膜室温磁性之间的关系, 分析了薄膜磁性的起源. 分析结果表明: 薄膜中Co含量随氧气压力增大而减少, Co以替位Co2+离子为主. 精细XRD分析表明, 薄膜中存在纳米尺度的金属Co团簇, 其含量与薄膜室温磁性估计的结果一致, Zn1-xCoxO薄膜的室温磁性归因于金属Co纳米团簇的超顺磁磁化机制.
关键词:
Co掺杂ZnO; 稀磁半导体; 磁学性能; 磁化机制; 定量分析
彭华龙
,
尤小姿
,
徐晓明
,
邱本陆
,
邵月刚
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.04.005
利用甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体水解、浓缩和缩聚三步法合成甲基苯基硅树脂,并对水解温度和搅拌速度对硅树脂水解反应的影响及催化剂种类和用量对硅树脂性能的影响进行了研究.结果表明:随着水解温度的降低和搅拌速率的加快,甲基苯基硅树脂的产率有所提高；溶剂/水的配比为1∶3时硅树脂的热性能和电性能最佳；催化剂用量为3.5％时,硅树脂缩聚反应的操作时间最佳；当固化剂A用量为0.5％时,硅树脂的固化速度较快,成膜后的弹性良好.
关键词:
有机硅
,
苯基硅树脂
,
氯硅烷
,
缩聚
赵阳
,
王娟
,
徐晓明
,
张庆瑜
金属学报
利用反应磁控溅射方法，设计并制备了调制周期相同而调制比的TiN/TaN多层膜。利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和纳米压痕仪对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行乐系统表征。结果表明：调制结构不仅改变多层膜的生长速率，而且能导致多层膜择优生长取向的变化；界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降；结构分析发现：在TiN/TaN多层膜中存在着独立外延生长的(111)和(100)两种取向的调制结构，这两种调制结构的调制周期存在着一定的差异；在我们的实验条件下，调制周期为6 nm左右的TiN/TaN多层膜，其硬度提高约50%；在调制比为3:1时，硬度最大值为34.2GPa，弹性模量为344.9GPa；此外，我们根据结构和力学性能的分析结果，讨论了TiN/TaN多层膜的超硬机制。
关键词:
TiN/TaN多层膜
,
growth behavior
,
structural characterization
,
mechanical properties
赵阳
,
王娟
,
徐晓明
,
张庆瑜
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.04.010
利用反应磁控溅射方法,制备了调制周期相同而调制比不同的TiN/TaN多层膜.利用XRD,HRTEM和纳米压痕仪分别对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行了系统研究.结果表明:调制结构不仅改变多层膜的生长速率,而且能导致多层膜择优生长取向的变化;界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降;在TiN/TaN多层膜中存在着各自独立外延生长的[111]和[100]两种取向的调制结构,且具有不同的调制周期;调制周期为6 nm左右的TiN/TaN多层膜的硬度与弹性模量分别提高约50%与30%;在调制比为3:1时,硬度最大值为34.2 GPa,弹性模量为344.9 GPa;根据结构和力学性能的分析结果,讨论了TiN/TaN多层膜的硬化机制.
关键词:
TiN/TaN多层膜
,
生长行为
,
结构特征
,
力学特性
刘雪珍
,
鲍善永
,
张欢欢
,
马春雨
,
徐晓明
,
张庆瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00369
采用脉冲激光沉积的方法,利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶,在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、电子探针、吸收光谱对薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成进行了定量分析,研究了沉积过程中氧气压力对薄膜中Co含量的影响,定量讨论了薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成与薄膜室温磁性之间的关系,分析了薄膜磁性的起源.分析结果表明:薄膜中Co含量随氧气压力增大而减少,Co以替位Co2+离子为主.精细XRD分析表明,薄膜中存在纳米尺度的金属Co团簇,其含量与薄膜室温磁性估计的结果一致,Zn1-xCoxO薄膜的室温磁性归因于金属Co纳米团簇的超顺磁磁化机制.
关键词:
Co掺杂ZnO
,
稀磁半导体
,
磁学性能
,
磁化机制
,
定量分析
