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用XRD、SEM手段分析了共沉淀工艺和水热合成技术制备的半导体SnO2纳米晶态粉体及其厚膜陶瓷材料的显微结构,结果表明两种粉体的晶粒尺寸大约7nm,但两种粉体的XRD照片差异较大.用水热合成技术制备的粉体其颗粒是由纳米晶粒团聚而成,颗粒尺寸大约300nm左右,具有较大的表面活性,而用共沉淀工艺制备的粉体,颗粒分布较宽,活性差.两种粉体的显微结构对厚膜陶瓷材料显微结构的形成和SnO2厚膜气敏传感器选择性、灵敏度和稳定性有着显著的影响.

关键词: SnO2 , 纳米晶态粉体 , 气敏传感器

掺镁钛酸锶(SrTiO₃)陶瓷的导电机理研究

周晓华 , SφrensenO．Toft , 曹全喜 , 徐毓龙

无机材料学报

本文着重讨论了掺镁SrTiO₃陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO₃中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10^－4～2．6×10^－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所有样品均呈现p型半导体的导电特征，样品在不同温度下的R∝P^-1/m_O2关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解释．

关键词: 钛酸锶陶瓷缺陷化学非化学计量电导率

Si/Si1－ xGex HEMT结构设计的研究

胡英 , 周晓华 , 徐毓龙 , 赵祖军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.011

从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。

关键词: Si/Si1－xGexHEMT , 半导体异质结 , 晶格匹配 , 能带阶跃 , 结构设计 , 二维电子气密度

掺镁钛酸锶 (SrTiO3)陶瓷的导电机理研究

周晓华 , Sфrensen O.Toft , 曹全喜 , 徐毓龙

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.015

本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系. 在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20～900℃的温度区间和3.8×10-4～2.6×10-1atm的氧分压范围被测试. 结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的R∝PO2-1/m关系中的m与镁的含量和温度有关. 根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释.

关键词: 钛酸锶陶瓷 , 缺陷化学 , 非化学计量 , 电导率