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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究

刘艳美 , 赵宗彦 , 杨坤堂 , 徐章程 , 韩家骅

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.06.022

用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs/GaAs量子点的摇摆曲线,根据Takagi-Taupin方程对曲线进行了拟合.在考虑量子点层晶格失配的情况下,理论曲线和实验曲线符合得很好,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度,约为4~6%,这与宏观连续体弹性理论的预测相近.结合电镜、原子力显微镜的观察结果表明对子单层沉积方法获得的量子点层采用化合物构层进行拟合所得结果是合理的.

关键词: 量子点 , 自组织生长 , 双晶衍射 , 摇摆曲线

Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

张雅婷 , 徐章程 , 李菲晖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.013

采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.

关键词: Cu , 电沉积 , Si衬底 , 择优取向

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