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王新胜 , 杨天鹏 , 刘维峰 , 徐艺滨 , 梁红伟 , 常玉春 , 杜国同
材料导报
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 第一性原理 , MOCVD , MBE
徐艺滨 , 杜国同 , 刘维峰 , 杨天鹏 , 王新胜
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.031
采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数Al2O3)陶瓷靶.对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征.得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω·cm.
关键词: 射频磁控溅射 , 透明导电薄膜 , AZO膜
