王正乾
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李明伟
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徐赟瑜
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王晓丁
材料科学与工程学报
采用低雷诺数/κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质.分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布.结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体:外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外.主要集中在小管内及其附近.
关键词:
液封提拉法
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质量浓度
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数值模拟
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双坩埚
