周远明
,
钟才
,
梅菲
,
刘凌云
,
徐进霞
,
王远
,
张冉
材料导报
基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响.结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气.采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础.
关键词:
ZnMgO/ZnO异质结
,
二维电子气
,
调制掺杂
周远明
,
舒承志
,
梅菲
,
刘凌云
,
徐进霞
,
王远
,
张冉
材料导报
利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.
关键词:
自旋电子学
,
自旋场效应晶体管
,
量子阱
,
Rashba自旋-轨道耦合
