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Si和C共掺杂的SiO2薄膜的光致发光

成珏飞 , 吴雪梅 , 诸葛兰剑 , 王文宝

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.002

采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理.分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰.这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同.用XRD和FTIR...

关键词: 光致发光 , 红外吸收谱 , 碳化硅 , 双离子束溅射