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  • 论文(5)

半导体ZnS∶Co的电子结构与磁性研究

房文健 , 刘永生 , 方津 , 彭麟 , 郭保智 , 高湉

稀有金属材料与工程

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了闪锌矿结构Co掺杂ZnS体系的电子结构和磁性.通过计算掺杂后组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度,发现单个Co原子掺杂,替换超晶胞(2×2×2)中心的Zn原子后体系形成能小于0,可以实现掺杂,且在费米能级处出现自旋极化现象,体系具有半金属特...

关键词: 稀磁半导体 , 第一性原理 , Co掺杂ZnS

薄膜光伏材料铜铟镓硒的研究进展

房文健 , 刘永生 , 杨晶晶 , 方津 , 彭麟 , 杨正龙

材料科学与工程学报

综述了CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)的晶体结构、光学性质和电学性质,介绍了其禁带宽度、导电类型、吸收系数、晶界面复合速率和少子寿命等重要参数.重点介绍了利用磁控溅射系统制备CIGS薄膜的两种制备工艺:磁控溅射金属预制层硒化法和单步溅射法;综述了非真空制备工艺中常用的电化学沉积法.分析了CI...

关键词: 铜铟镓硒 , 结构性质 , 磁控溅射 , 电化学沉积法

ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究

郭保智 , 刘永生 , 武新芳 , 房文健 , 彭麟 , 高湉

人工晶体学报

利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的品格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构.氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最...

关键词: ZnO , 掺杂 , 氧空位 , 第一性原理

氧化锌n型导电机理研究进展

郭保智 , 刘永生 , 房文健 , 徐娟 , 武新芳 , 彭麟

硅酸盐通报

氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.

关键词: 氧化锌 , n型导电 , 本征缺陷 , 非故意掺杂

不同沉淀剂制备的 Co3O4低温催化氧化甲醛

范泽云 , 张志翔 , 房文健 , 姚鑫 , 邹谷初 , 上官文峰

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(15)61086-5

室内空气中低浓度甲醛严重危害人类健康,高效去除甲醛成为人们关注的课题.在各种去除甲醛的方法中,吸附法简单快速,但是存在饱和吸附量的限制;光催化降解法能够去除低浓度甲醛,却会产生一些如臭氧等二次污染物;低温催化氧化甲醛由于其高效和产物矿化完全而成为具有实际应用前景的技术.虽然贵金属负载型催化剂具有室温...

关键词: 甲醛氧化 , 催化 , 四氧化三钴 , 沉淀法 , 钾离子

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