孙国胜
,
宁瑾
,
高欣
,
攻全成
,
王雷
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在...
关键词:
4H-SiC
,
同质外延生长
,
肖特基二极管
