林致远
,
马骏
,
林亮
,
杨成绍
,
邹志翔
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及...
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
双栅极
林致远
,
杨成绍
,
邹志翔
,
操彬彬
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成...
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
