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检索条件:作者=斯剑霄  

  • 论文(8)

分子束外延PbTe/Cd 0.98 Zn 0.02 Te异系材料的微结构特性研究

斯剑霄 , 吴惠桢 , 徐天宁 , 夏明龙 , 王擎雷 , 陆叶青 , 方维政 , 戴宁

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545

采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺...

关键词: 异质外延 , surface structure , dislocation

分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究

斯剑霄 , 吴惠桢 , 徐天宁 , 夏明龙 , 王擎雷 , 陆叶青 , 方维政 , 戴宁

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025

采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(H...

关键词: 异质外延 , 表面微结构 , 位错运动

CdSe胶质量子点的电致发光特性研究

楼腾刚 , 胡炼 , 吴东锴 , 杜凌霄 , 蔡春锋 , 斯剑霄 , 吴惠桢

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027

采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层, 结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X射线衍射...

关键词: CdSe; 量子点; 电致发光; 光致发光

Pb1-xSrxSe薄膜材料的微结构和光学特性

王擎雷 , 吴惠桢 , 斯剑霄 , 徐天宁 , 夏明龙 , 谢正生 , 劳燕锋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01108

采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe (0≤ x≤0.050)薄膜. X射线衍射结果表明, Pb1-xSrxSe 薄膜为立方相NaCl型晶体结构, 没有观察到SrSe相分离现象, 薄膜的取向为平行于衬...

关键词: Pb1-xSrxSe 外延薄膜 , transmission spectrum , refractive index , absorption coefficient

Pb1-xSrxSe薄膜材料的微结构和光学特性

王擎雷 , 吴惠桢 , 斯剑霄 , 徐天宁 , 夏明龙 , 谢正生 , 劳燕锋

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.018

采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xSrxSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由V...

关键词: Pb1-xSrxSe外延薄膜 , 透射光谱 , 折射率 , 吸收系数

CdSe胶质量子点的电致发光特性研究

楼腾刚 , 胡炼 , 吴东锴 , 杜凌霄 , 蔡春锋 , 斯剑霄 , 吴惠桢

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027

采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到...

关键词: CdSe , 量子点 , 电致发光 , 光致发光

Fe基纳米晶LC回路的磁敏特性研究

方允樟 , 吴锋民 , 郑金菊 , 孙怀君 , 斯剑霄

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.018

通过 Fe基纳米晶磁芯电感( LN)与由其并联电容构成的 LC回路( LCN)的阻抗频谱曲线和磁 阻抗曲线的比较分析 ,发现 LCN磁阻抗比值 (△ Z/Z0)和磁敏线性区间都比 LN大得多, LCN存在 特征频率: fr0、 frhmax、 fr ,依据特征频率可以确定磁阻抗曲线的形状,实现 LC...

关键词: Fe基纳米晶 , LC回路 , 磁阻抗

PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

徐天宁 , 吴惠桢 , 斯剑霄 , 曹春芳 , 黄占超

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.013

用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/P...

关键词: 无机非金属材料 , PbSe单晶薄膜 , 分子束外延 , 应变弛豫 , 螺旋结构