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B3+,Zn2+掺杂与SiO2薄膜驻极体的改性

黄志强 , 徐政 , 方明豹 , 俞建群

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.021

用粉体制备和高温熔凝工艺在n＜111＞型单晶硅基片上制备了非晶态SiO2-ZnO-B2O3复合膜驻极体,实现对SiO2薄膜驻极体的改性恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged,TSD)实验表明,B3+、Zn2+的掺杂对SiO2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响:TSD放电电流峰稳定于t=238℃处,峰位不随充电温度和充电电压变化;正、负TSD电流谱关于温度轴对称.用离子掺杂可以有效地改变SiO2薄膜驻极体内的微观网络结构,影响其电荷贮存性能.

关键词: 离子掺杂 , 二氧化硅 , 复合膜 , 驻极体

EuSr2RuCu2O8的超导电性和磁性

方明豹 , 徐政 , 崔玉建 , 方明虎

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.06.010

研究了铁磁性超导体EuSr2RuCu2O8的结构,超导电性和磁性结果表明,该化合物为欠掺杂超导体,其超导转变起始温度为Tonset c=35K,零电阻温度为Tc(ρ=0)=10K,铁磁转变居里温度为Tc=130.2K.

关键词: 超导电性 , 铁磁性 , EuSr2RuCu2O8化合物

EuSr2RuCu2-xZnxO8中Zn对CU的替代效应

方明豹 , 徐政 , 李虹

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.05.002

通过对EuSr2RuCu2-xZnxO8超导体系的结构、电阻和磁化强度的观测,研究了Zn对Cu的部分替代对其超导电性和磁性的影响.结果表明,Zn部分替代Cu后EuSr2RuCu2-xZnxO8体系仍能保持单相的上限浓度为x=0.2;替代导致样品发生四方-正交的结构相变,并对其超导电性具有强烈的破坏作用,x=0.01的样品在4.2 K以上已不再呈现超导电性;替代增强了Ru离子之间的铁磁相互作用,导致铁磁相变温度的提高.

关键词: 超导电性 , 磁性超导体 , 元素替代效应

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