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300 mm 硅单晶的缩颈生长及应力分析

程景柏 , 屠海令 , 周旗钢 , 王敬 , 常青 , 张果虎 , 方锋

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.006

对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察,颈部晶体的断裂属于脆性断裂,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力,从而可以制得更大重量的单晶.缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响.讨论了颈部晶体的断裂机制.

关键词: 300 mm 硅单晶 缩颈 脆性断裂 抗拉强度

Φ125 mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究

郝玉清 , 张果虎 , 常青 , 方锋 , 吴志强 , 万关良 , 秦福

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.017

为控制氧径向均匀性, 选择Φ350 mm热场. 增加晶转速度可以改善氧径向均匀性, 但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响.

关键词: Φ125 , mm硅单晶 , 氧径向均匀性 , 热场 , 晶转速度 , 石英坩埚转速

区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

曲翔 , 陈海滨 , 方锋 , 汪丽都 , 周旗钢 , 闫志瑞

人工晶体学报

气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20％降低到10％,从而降低生产成本.

关键词: 气相掺杂 , 区熔硅单晶 , 电阻率

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

张果虎 , 常青 , 方锋 , 吴志强 , 周旗钢

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.017

在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.

关键词: Φ200 , mm硅单晶 , 无位错 , 热场 , 工艺参数 , 系统操作参数表

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