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Ni52Mn26Ga22薄膜的马氏体相变和磁电阻

丁娟 , 赵韦人 , 符史流 , 於元炯

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2006.03.001

用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜.用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面.沉积时衬底温度为773K.电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行.X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相.电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小.在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%.马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同.

关键词: 马氏体相变 , 薄膜 , 磁电阻

反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

赵韦人 , 李鸣楚 , 伍锦添 , 於元炯

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.04.007

采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.

关键词: 反应磁控溅射 , Cr-N薄膜 , X射线衍射 , 相

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