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化学镀工艺中粉体形貌对复合电接触材料性能的影响

张晓燕 , 施凌云 , 吴正纯 , 曹泽淳 , 张家鼎

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2001.06.001

本文研究了化学包覆工艺对Ag80(WC70 TiC30)17C3新型复合电接触材料粉体形貌和性能的影响.结果显示控制制粉工艺参数可使粉体有不同程度的聚集和不同的形貌,使粉体有不同的松装密度,而体材料具有不同的电阻率.

关键词: 复合电接触材料 , 化学包覆 , 粉体形貌 , 电阻率

垂直Bridgman法生长Cd1-XMnxTe晶体的缺陷研究

施凌云 , 张继军 , 王林军 , 黄健 , 唐可 , 彭兰

人工晶体学报

本文采用垂直布里奇曼(Bridgman)法生长了尺寸为Φ30 mm×130mm的Cd1-xMnxTe晶体,利用Nakagawa腐蚀液显示了晶体的位错、Te夹杂相和孪晶缺陷,并采用傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体的红外透过率与晶体缺陷之间的关系.结果表明:生长态Cd1-xMnxTe晶体的位错密度为104~105 cm-2,Te夹杂相密度为103~104cm-2,晶体中的孪晶主要为共格孪晶,孪晶面为[111]面,且平行于晶体生长方向.在入射光波数4000~500 cm-1范围,晶体的红外透过率为36.7%~55.3%,红外透过率越大,表明晶体的位错和Te夹杂相密度越低,晶体对该波长范围的红外光表现为晶格吸收和自由载流子吸收.

关键词: Cd1-xMnxTe , 位错 , Te夹杂相 , 孪晶 , 红外透过率

Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度和法拉第效应研究

张继军 , 王林军 , 施凌云

功能材料

采用垂直Bridgroan法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2 Te).利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-1592~1592kA/m,温度范围为2~200K.Cd0.8Mn0.2Te晶体的法拉第效应测试在300K温度下进行,磁场强度<0.2T.2K温度下的M-H曲线表明,晶体的Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用.796A/m恒磁场下的磁化率γ与温度T的关系研究表明,晶体在2~200K之间是顺磁态,当T>40K时,y与T满足居里-外斯定律;T<40K,γ与T的关系偏离居里-外斯定律,表现出顺磁增强现象.法拉第效应研究表明,晶体的Verdet常数的绝对值达到2×103deg/cm·T,采用单振子模型能够很好地拟合实验数据,得出晶体的激子能量Eo=1.831eV,说明sp-d交换相互作用引起的激子跃迁对晶体的巨法拉第效应起到主要作用.

关键词: Cdo0.8Mn0.2Te , 磁化强度 , 顺磁态 , 法拉第效应

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