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高频热等离子体气相合成一维纳米氧化锌研究

施昌勇 , 胡鹏 , 袁方利 , 李晋林

材料导报

把锌粉原料加入到高频常压热等离子体弧中,使锌粉加热气化,然后与加入等离子体反应器中的氧气反应,合成出了直径为50nm、长度超过2靘的一维棒状纳米氧化锌.研究了氧分压和锌粉加料速度对合成产物形貌的影响,结果表明,通过控制这些参数,可以调控合成的氧化锌纳米棒长径比.采用XRD、SEM、TEM和HRTEM对产物的形貌和结构进行了表征,并衷征了合成的氧化锌纳米棒的光致发光性能.

关键词: 氧化锌 , 一维纳米结构 , 高频常压热等离子体

KH550硅烷偶联剂对复合材料结构和介电性能影响

王海燕 , 党智敏 , 武晋萍 , 施昌勇

功能材料

采用KH550硅烷偶联剂对BaTiO3粉体进行了表面处理,用溶液混合法及热压工艺制备了BaTiO3/PVDF复合材料.通过扫描电子显微镜对复合材料形貌的分析发现偶联剂的用量对复合材料形态影响较大; 用傅立叶变换红外光谱仪和X射线衍射分析了偶联剂用量对BaTiO3/PVDF复合材料微观结构影响; 通过阻抗分析仪研究了复合材料的介电性能, 发现偶联剂用量对复合材料介电性能影响很大,当偶联剂用量在1%(质量分数)时,BaTiO3体积分数为40%的复合材料介电常数高达51.

关键词: BaTiO3/PVDF , 复合材料 , 硅烷偶联剂

低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

贾红娟 , 尹训茜 , 查俊伟 , 施昌勇 , 党智敏

功能材料

用单体4,4′-二胺基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)添加纳米SiO2,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子,引入纳米微孔,形成含有微孔的PI薄膜。造孔剂含量为15%时,薄膜的介电常数从纯聚酰亚胺的3.54降低至3.05(1kHz)。用透射电镜表征微孔结构,分析了微孔孔径和造孔剂(SiO2)含量对薄膜介电常数、耐热性、疏水性和机械强度等性质的影响。

关键词: 聚酰亚胺 , 介电常数 , SiO2 , 纳米微孔

溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

施昌勇 , 沈克明

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.02.018

研究了用微波ECR等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜工艺中靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响, 制得电阻率为10-5 Ω.m数量级, 可见光平均透光率大于80%的透明导电ZnO∶Al (AZO) 膜.

关键词: 透明导电膜 , ZnO∶Al , ECR微波等离子体反应溅射

炭黑/聚丙烯-聚(苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯)复合材料的介电性能和压阻性能

施昌勇 , 游峰 , 王东瑞 , 李欣欣 , 党智敏

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20140402.002

为了制备柔性较好的聚合物基压阻材料,利用熔融共混法制备了炭黑/聚丙烯-聚(苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯)(CB/PP-SEBS)复合材料,并研究了CB含量对CB/PP-SEBS复合材料介电性能和压阻性能的影响.结果表明:随着CB含量的增加,CB/PP-SEBS复合材料的介电常数、介电损耗及电导率均提高;CB/PP-SEBS复合材料发生导电逾渗时,CB的含量为12.2wt%;在CB/PP-SEBS复合材料发生弹性形变时,由于外力破坏了CB的导电网络,复合材料的电阻随着应变的增大而增大;循环压阻测试结果显示,在弹性变形区CB/PP-SEBS复合材料的电阻随着应变呈现周期性变化.研究结果可为制备具有稳定电阻变化的聚合物基压阻材料提供借鉴.

关键词: 聚丙烯 , 炭黑 , 介电常数 , 逾渗 , 电阻

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