施朱斌
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桑文斌
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钱永彪
,
滕建勇
,
闵嘉华
,
樊建荣
,
胡冬妮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.006
本文为CdznTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路.137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1.能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件.
关键词:
二元并行探测器
,
CdZnTe探测器
,
信号处理
,
读出电路
李刚
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桑文斌
,
闵嘉华
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钱永彪
,
施朱斌
,
戴灵恩
,
赵岳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.037
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In+Cd],同时[In+Cd]还与[v2-Cd]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
关键词:
碲锌镉
,
低温PL
,
深能级瞬态谱
,
缺陷能级
