时彬彬
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闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
王林军
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邢晓兵
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段磊
,
孟华
,
杨升
人工晶体学报
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.
关键词:
溶剂熔区移动法
,
Cd0.9Zn0.1Te
,
红外透过率
,
PICTS
张涛
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
滕家琪
,
时彬彬
,
杨升
,
张继军
,
王林军
稀有金属材料与工程
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe (CZT)单晶.生长完成后,选取了10～60 K/h不同速率降温处理.采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应.结果表明,10～30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(＞10 μ.m),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸＜10 μm)为主.同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大.此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能.40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳.
关键词:
Te夹杂相
,
降温速率
,
CdZnTe
杨升
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
邢晓兵
,
段磊
,
时彬彬
,
孟华
人工晶体学报
通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响.Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.
关键词:
CdZnTe
,
复合电级
,
金半接触
,
势垒高度
滕家琪
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
周捷
,
张涛
,
时彬彬
,
杨升
,
曾李骄开
人工晶体学报
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.
关键词:
PICTS
,
CdZnTe
,
深能级
,
缺陷
