明科宇
,
李松湖
,
邹积峰
,
集兴伟
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.05.012
在电子结构上揭示Al-Zn-Mg合金时效强化机理,利用"固体与分子经验电子"理论中的键距差法,计算了Al-Zn-Mg合金中的过饱和固溶体,GP区,η相(MgZn2)以及T相(Al2Mg3Zn3)的电子结构,从而在价电子结构上解释A1-Zn-Mg合金在时效过程中GP区和η (MgZn2)稳定相对合金强化的原因,以及高温过时效时合金强度降低的原因.
关键词:
Al-Zn-Mg合金
,
时效强化
,
价电子结构
,
GP区
,
EET理论