肖海林
,
邵刚勤
,
赛青林
,
夏长泰
,
周圣明
,
易学专
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160135
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶.当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象.进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al3+浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1∶3.通过测试β-(Al,Ga)2O3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)2O3混晶的禁带调节范围为4.72～5.32 eV,扩大了β-Ga2O3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用.
关键词:
β-Ga2O3
,
Al3+
,
禁带宽度
,
半导体
