晏伯武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.017
为探索PZT压电陶瓷材料的损耗机理,对Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.4403分别进行Co2O3、Sb2O3掺杂,Mn(NO3)2、Sb2O3掺杂的实验,以及陶瓷的不同成型工艺的比较实验.该PBSZT体系在相同烧结条件下,一定量的Sb2O,Mn(NO3)2掺杂下,体系机械损耗与介电损耗之比为0.09左右;而一定量的Co2O3、Sb2O3掺杂时,则其值在0.55左右.表明一定的材料组成下,机械损耗和介电损耗有较好的相关性,但同时不同成型方法也对同一组成的两种损耗的比值影响较大.
关键词:
锆钛酸铅
,
压电陶瓷
,
介电损耗
,
掺杂
高景霞
,
王二萍
,
李慧
,
张金平
,
晏伯武
,
张洋洋
硅酸盐通报
微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.
关键词:
微波介质陶瓷
,
体系
,
介电性能
晏伯武
材料导报
为研究氧化钒薄膜在非致冷红外微测辐射热计中的应用,综述了制备工艺等诸多因素对氧化钒热敏特性的影响,对其机理进行了探究,结果表明掺杂和新的制备工艺是调整氧化钒热敏特性较为有效的方法.
关键词:
氧化钒薄膜
,
电阻温度系数
,
热敏特性
王秀章
,
晏伯武
,
刘红日
材料导报
采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃.实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm.
关键词:
铁电薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
BiFeO3薄膜
,
退火温度
王秀章
,
晏伯武
,
刘红日
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.004
采用溶胶-凝胶方法在FTO/glass底电极上制备了BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_4Ti_3O_(12)/BiFeO_3多层薄膜.研究了室温下薄膜的结构,铁电性质和介电性质,并将其与纯的BiFeO_3薄膜的性质进行了比较.从薄膜的XRD模式中可以观察到共存的BiFeO_3相和Bi_4Ti_3O_(12)相.通过电滞回线测量可以看出,相对于纯的BiFeO_3薄膜,BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_4T_(13)O_(12)/BiFeO_3多层薄膜能够承受更高的测试电场而获得充分极化,从而表现出较强的铁电性,在450 kV/cm测试电场下,薄膜的剩余极化强度分别为37 μLC/cm~2和23 μC/cm~2.
关键词:
无机非金属材料
,
BiFeO_3薄膜
,
BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)多层薄膜
,
铁电性
王秀章
,
晏伯武
,
郭建林
材料导报
场效应晶体管是现代微电子技术的重要组成部分.为制备氧化锌薄膜晶体管,分析了氧化锌的p型、n型掺杂特性,对p型掺杂进行了实验分析和理论探讨,比较了各种制备氧化锌薄膜晶体管的工艺特点,展示了ZnO在未来电子和光电子领域的潜在应用.
关键词:
氧化锌
,
薄膜
,
p型掺杂
,
制备
