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长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器

晏长岭 , 秦莉 , 张淑敏 , 宁永强 , 王青 , 赵路民 , 刘云 , 王立军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.05.004

新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件.本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述.

关键词: 激光技术 , 长波长激光 , GaInNAs , 垂直腔面发射激光器(VCSEL)

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