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添加H2对SiH4/N2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响

景亚霓 , 钟传杰

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.003

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-...

关键词: 等离子增强化学气相淀积 , 氮化硅 , 氢气添加 , 光学带隙 , 高频电容-电压特性

喷墨印刷制备有机薄膜晶体管及其电路的研究进展

张平 , 胡文华 , 景亚霓 , 唐正宁 , 钟传杰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.007

有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景.喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法.文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题.

关键词: 喷墨印刷 , 有机薄膜晶体管 , 有机电路 , 微图案化

喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能

景亚霓 , 胡文华 , 张平 , 魏志芬 , 唐正宁 , 钟传杰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.009

利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜.研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响.实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66 nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096 eV减小为0.04...

关键词: PEDOT/PSS , 喷墨印刷 , 导电聚合物薄膜 , 导电性能

双层复合有机栅绝缘膜漏电机理的研究

景亚霓 , 王乐

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142905.0681

本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏...

关键词: OTFT , 双层栅绝缘膜 , 漏电机制

Tips-PEN 薄膜载流子迁移率的稳态 SCLC 与阻抗谱法测量的研究

景亚霓 , 滕支刚 , 魏志芬

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.1077

利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场...

关键词: Tips-Pentacene , 空间电荷限制电流 , 阻抗谱 , 迁移率

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