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加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

高忙忙 , 朱博 , 李进 , 景华玉 , 董法运 , 梁森 , 李海波

硅酸盐通报

采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效...

关键词: 单晶硅 , 温度梯度 , 固液界面 , 氧含量

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