曲翔
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陈海滨
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方锋
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汪丽都
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周旗钢
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闫志瑞
人工晶体学报
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该...
关键词:
气相掺杂
,
区熔硅单晶
,
电阻率
曲翔
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徐文婷
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肖清华
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刘斌
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闫志瑞
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周旗钢
材料导报
忆阻器( RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗.简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型；综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等；阐述了忆阻...
关键词:
忆阻器
,
薄膜材料
,
阻变机制
,
电激励
黄栋栋
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曲翔
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刘大力
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周旗钢
,
刘斌
,
刘红艳
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15051401
硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用.通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内...
关键词:
重掺硅片
,
多晶硅吸杂
,
择优腐蚀
,
氧沉淀
