徐红燕
,
陈兴桥
,
于庆江
,
曹丙强
功能材料
以SnO2纳米粉和La2O3纳米粉为原料,采用高能球磨技术,结合正交试验设计,制备了经过高能球磨的纯SnO2纳米粉体和掺杂适量La2O3的SnO2纳米粉体。利用传统的厚膜气敏传感器制备工艺,制备了纯SnO2厚膜气敏传感器及掺杂一定量La2O3的SnO2厚膜气敏传感器。并对其本征电阻及其对乙醇、汽油、...
关键词:
SnO2
,
La2O3掺杂
,
正交试验
,
气敏
魏浩铭
,
陈令
,
巩海波
,
曹丙强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11633
采用电化学沉积法制备了ZnO纳米棒,首先讨论了电化学沉积参数对氧化锌(ZnO)纳米棒形貌的影响,并对不同长度ZnO纳米棒的光吸收和反射等性质进行了研究.实验发现沉积时间是影响纳米棒长度、直径的重要因素,ZnO纳米棒的微观形貌对其光学性质有重要影响.然后以氧化锌纳米棒为n型材料,以氧化亚铜为p型材料,...
关键词:
氧化锌
,
纳米棒
,
电化学沉积
,
太阳能电池
邱智文
,
杨晓朋
,
韩军
,
曾雪松
,
李新化
,
曹丙强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13284
采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO∶Na)生长的影响,并制备了ZnO∶A1薄膜/ZnO∶Na纳米线阵列同质pn结器件.实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良...
关键词:
钠掺杂
,
氧化锌纳米线
,
高压脉冲激光沉积(HP-PLD)
刘畅
,
苑帅
,
张海良
,
曹丙强
,
吴莉莉
,
尹龙卫
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150455
γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件.本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响.在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见...
关键词:
碘化亚铜
,
铜膜碘化法
,
透明导电
,
反型钙钛矿太阳能电池
