王丽君
,
赵健
,
关小军
,
禹宝军
,
曾庆凯
,
刘千千
,
曹宇
材料热处理学报
采用热模拟压缩实验、热-力耦合刚塑性有限元和动态再结晶唯象模型相结合的方法,以HPS485wf钢为研究对象,模拟了热压缩应变量对该钢试样内部动态再结晶状态及其变化的影响。结果表明：该钢试样内部等效应变、动态再结晶体积分数和平均晶粒尺寸的分布特征与应变量无关;各参量的数值分布特征区域大小与应变量有关,...
关键词:
HPS485wf钢
,
动态再结晶
,
数值模拟
,
应变量
樊勇军
,
周晓龙
,
贺志荣
,
曹建春
,
曹宇
,
陈敬超
材料热处理学报
用示差扫描热分析仪、光学显微镜和拉伸试验研究了不同退火温度(Ta)对Ti-50.8Ni-0.1Zr合金相变行为、显微组织和拉伸行为的影响.结果表明:Ta=400℃时,合金冷却/加热时的相变类型为A→ R→M/M→R→A两阶段可逆相变,而Ta=500℃时,冷却/加热合金正逆转变为A→R→M/M→A,在...
关键词:
Ti-50.8Ni-0.1Zr合金
,
形状记忆合金
,
退火温度
,
相变行为
,
显微组织
,
拉伸性能
曹宇
,
刘荣军
,
曹英斌
,
龙宪海
,
严春雷
,
张长瑞
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.07.004
三维针刺碳毡经化学气相渗透（Chemical Vapor Infiltration, CVI）增密制备C/C素坯，通过气相渗硅（Gaseous Silicon Infiltration, GSI）制备C/C-SiC复合材料。研究素坯密度与CVI C层厚度及素坯孔隙率的变化规律，并分析素坯密度对C/C...
关键词:
C/C素坯
,
气相渗硅
,
C/C-SiC
,
CVI C
,
力学性能
李天微
,
张建军
,
曹宇
,
倪牮
,
黄振华
,
赵颖
人工晶体学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40％)μc-Si1-...
关键词:
微晶硅锗薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积
,
He稀释
樊勇军
,
周晓龙
,
曹建春
,
陈敬超
,
曹宇
材料保护
Ti3SiC2/SiC是工业熔盐铝电解生产中的主要阳极材料,当前对其电化学腐蚀研究报道不多.采用原位热压法制备了不同SiC含量的Ti3SiC2/SiC复合材料,研究了其在电解铝中的电化学腐蚀行为,并利用XRD和SEM进行了腐蚀产物和微观形貌分析.结果表明:SiC的含量对Ti3SiC2/SiC复合材料...
关键词:
电化学腐蚀
,
Ti3SiC2/SiC复合材料
,
惰性阳极
,
原位热压
,
反应机理
郭丽
,
曹宇
,
信心
,
杜高辉
功能材料
以K4[Fe（CN）6]、PEG400和H2O2为原料,通过水热法制备了树枝状α-Fe2O3,并采用XRD、SEM、TEM、SAED和Raman技术对其微观形貌和结构进行了分析。研究发现α-Fe2O3树枝的主干生长方向为[101-0],分枝的生长方向为[11-00]和[011-0],进一步对树枝状α...
关键词:
α-Fe2O3
,
树枝状
,
生长机理
,
水热法
曹宇
,
邸洪双
,
张敬奇
,
马天军
材料科学与工艺
为优化铁镍铬耐蚀合金Incoloy 800H的热加工生产工艺,在MMS-300热力模拟试验机上对其进行双道次热压缩实验,绘制出不同变形条件下的双道次流变应力曲线,研究了变形温度、变形程度、应变速率与初始奥氏体晶粒尺寸等参数对其静态软化行为的影响.利用EBSD及TEM技术分析了道次间隔时间内亚结构变化...
关键词:
Incoloy 800H
,
流变应力
,
静态再结晶
,
亚结构
,
应变诱导析出
,
再结晶动力学模型
王小叶
,
刘建国
,
曹宇
,
蔡志祥
,
李祥友
,
曾晓雁
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.02.004
采用化学还原法,在水相中,以硼氢化钠为还原剂,月桂酸为分散剂,通过还原银氨络合物溶液制备了纳米银胶体,之后通过调节胶体的pH值,分离出了纳米银颗粒.TEM和XRD分析表明,该纳米银颗粒的平均粒径大约为17 nm,集中分布于5～30 nm,且无明显的团聚现象；红外光谱分析表明该纳米银颗粒表面包覆有月桂...
关键词:
金属材料
,
纳米银颗粒
,
化学还原法
,
纳米银导电浆料
刘荣军
,
曹英斌
,
龙宪海
,
杨会永
,
曹宇
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151228.002
界面改性涂层对调节复合材料的力学性能起到重要作用。特别是在气相渗硅(GSI)制备 Cf/SiC复合材料时,合适的界面改性涂层一方面保护C纤维不受 Si反应侵蚀,另一方面调节 C 纤维和 SiC 基体的界面结合状况。通过在3D-C纤维预制件中制备先驱体浸渍-裂解(PIP)SiC涂层来进行界面改性,研究...
关键词:
先驱体浸渍-裂解
,
SiC
,
界面改性
,
气相渗硅
,
Cf/SiC
曹宇
,
邸洪双
,
张洁岑
,
张敬奇
,
马天军
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00236
在MMS-300热模拟机上对800H合金进行了单道次压缩实验,结合EBSD和TEM等技术,研究了该合金在850-1100℃和0.01-10 S-1变形条件下的动态再结晶行为.结果表明,当变形温度低于950℃时,析出了大量Cr23C6和Ti(C,N)析出相,其对动态再结晶行为产生明显的抑制作用.建立了...
关键词:
800H合金
,
动态再结晶
,
本构方程
,
临界应变
,
应变诱导晶界迁移
