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超高频法提取方波脉冲下的局部放电信号

设计了一种用于检测局部放电信号的套筒单极子天线传感器,并对其结构和性能进行了分析.通过天线参数的优化设计,改变输入阻抗,得到满足检测要求的驻波比(VSWA<2)和带宽特性(400~1100 MHz).同时研制了一套方波陡脉冲电压下的局部放电测试系统,并用该系统对纳米耐电晕聚酰亚胺薄膜进行局部放电测试.结果表明:该套筒单极子天线传感器适用于局部放电信号的提取,该方波陡脉冲电压下的局部放电测试系统具有较好的信噪比和灵敏性,能够达到检测绝缘状况的要求.

关键词: 变频电机 , 天线 , 局部放电

变频电机电磁线绝缘膜电树枝化击穿机理研究

罗杨 , 吴广宁 , 周力任 , 曹开江

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.01.014

阐述了调速牵引电机中电磁线绝缘破坏的问题及电树产生和发展的机理.以完好的和含有杂质的变频电机用电磁线为试样,在高压下老化直至击穿,对击穿点进行扫描电镜和能谱分析.试验结果表明,两试样的击穿均为树枝状击穿,金属杂质的存在降低了绝缘膜的电气强度.

关键词: 变频电机 , 电磁线 , 电树枝 , 击穿

聚合物纳米复合材料耐电晕机理的研究进展

罗杨 , 吴广宁 , 周力任 , 曹开江

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.04.011

叙述了耐电晕聚合物纳米复合材料的研究进展,分析了绝缘材料的耐电晕机理,为开发新型耐电晕聚合物纳米复合材料奠定了基础.虽然国内学者对其合成、结构、性能及耐电晕机理等问题进行了研究,并取得了一定的进展,但尚未获得关键性突破.即生产耐电晕绝缘材料的关键技术有待提高.

关键词: 耐电晕 , 绝缘材料 , 纳米复合材料 , 聚合物

高压方波脉冲波形参数对局部放电的影响

郭小霞 , 吴广宁 , 高波 , 周力任 , 曹开江

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.015

研究了变频电机定子用绝缘绞线对在方波脉冲下的局部放电行为.对不同频率及不同电压上升时间下局部放电的放电次数、平均放电量及放电的相位分布进行了研究和分析.结果表明,随频率的升高及电压上升时间的缩短,累积空间电荷形成的反向电场增强,局部放电行为加剧,从而导致绝缘的老化更为严重;随频率的升高,初始电子延迟会使单个周期内放电次数减少,而相同时间间隔内局部放电次数会有所增加;在不同电压上升时间下,放电次数的增加量不与电压上升率的变化成正比,而取决于单次放电时间td.

关键词: 变频电机 , 方波脉冲 , 局部放电 , 反向电场

纳米颗粒对聚酰亚胺膜老化特性的影响

曹开江 , 吴广宁 , 张依强 , 徐慧慧 , 罗杨 , 王鹏

材料科学与工程学报

为了研究高频方波脉冲电压下高速铁路牵引电机绝缘的老化、失效机理,给电机绝缘结构的设计和优化提供理论基础,本文研究了高频方波脉冲下牵引电机定子绝缘的老化特性.在高频方波脉冲下,对普通和纳米复合薄膜进行了老化,通过扫描电镜分析了试样表面形貌的变化情况,并对试样的剩余击穿场强进行了测试分析.研究表明:老化1小时后两种薄膜的表面形貌都发生了明显改变但变化不同,纳米粒子的添加延缓了局部放电对纳米复合薄膜的老化速率,老化2小时后普通薄膜和纳米复合薄膜的击穿场强分别下降了27.55％和12.90％.

关键词: 变频牵引电机 , 绝缘 , 老化 , 表面形貌 , 击穿

基于介电谱分析聚酰亚胺薄膜的老化特征

高波 , 吴广宁 , 曹开江 , 罗杨 , 王鹏 , 崔易

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.06.012

对纳米和普通聚酰亚胺薄膜进行了双极性脉冲电压下的老化试验,分析了薄膜老化前后的介电频率谱和温度谱,并借助电镜扫描分析,研究了薄膜老化前后的微观结构形态与宏观介电性能之间的关系.结果表明:老化使聚酰亚胺薄膜介电频率谱中的偶极子弛豫损耗峰向高频移动,低温区的界面极化损耗峰向高温移动；且老化使聚酰亚胺薄膜分子链断裂,生成分子量小的极性分子,使取向极化更易建立；纳米粒子的加入,削弱了老化因子对聚酰亚胺薄膜内部结构的破坏作用,使偶极子取向带来的弛豫损耗大大减小；纳米掺杂形成大量的界面缺陷,使界面极化带来的介质损耗大大增加.

关键词: 聚酰亚胺薄膜 , 绝缘 , 老化 , 介电谱