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不同衬底上溅射TiO2薄膜的光学性能研究

叶剑 , 曹春斌

功能材料

在硅片和石英上利用射频溅射法沉积了TiO2薄膜,并分别在空气中进行了退火处理。利用椭偏光谱仪对硅片上薄膜进行了椭偏测试,利用紫外-可见分光光度计对石英上薄膜进行了透射光谱测试。利用解谱软件对椭偏谱和透射谱进行了建模解谱,获得了不同基片上薄膜在不同退火温度下的折射指数和消光系数,发现和TiO2块材的光学常数也有明显的区别。通过计算得到了系列薄膜的光学带隙,带隙值范围从3.35~3.88eV,可以为薄膜态TiO2体系的光学应用、设计和相关理论研究提供一定的依据。

关键词: 射频磁控溅射 , TiO2薄膜 , 椭圆偏振技术 , 光学性能

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

江锡顺 , 曹春斌 , 蔡琪 , 宋学萍 , 孙兆奇

功能材料

采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250~350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.

关键词: ZnS薄膜 , 衬底温度 , 微结构 , 应力

铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响

江锡顺 , 曹春斌 , 宋学萍 , 孙兆奇

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.008

采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO).制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1 h.对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析.结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω·cm.

关键词: ITO薄膜 , 磁控溅射 , 氧化程度 , 光电特性

溅射超薄Ag膜中的晶格畸变

孙兆奇 , 曹春斌 , 宋学萍

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.005

用直流溅射法制备了厚度从11.9到189.0 nm的超薄Ag膜.X射线衍射(XRD)分析表明:样品中的Ag均为面心立方多晶结构,粒径从6.3到14.5 nm.通过晶格常数的计算发现:晶格畸变为收缩,且随着粒径的减小收缩率增加,最大值为1.1%.结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果,讨论了影响晶格畸变的主要因素.

关键词: 直流溅射 , 超薄Ag膜 , 晶格畸变

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