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气相反应法制备GaN纳米线

许涛 , 魏志锋 , 李建业 , 贺蒙 , 许燕萍 , 曹永革 , 张王月 , 陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.005

用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分辩电镜等对其成分、形貌及其结构进行了表征.制备的GaN纳米线直径大部分为10～50nm,且多呈平直光滑状态;纳米线的成分为六方晶系氮化镓晶体.

关键词: GaN纳米线 , 半导体材料 , 气相反应法

氮化镓纳米固体的合成及其激光拉曼光谱

许涛 , 许燕萍 , 曹永革 , 兰玉成 , 李建业 , 张王月 , 杨志 , 陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.009

利用氨热法合成了一种新型致密材料—氮化镓纳米固体。该纳米固体呈淡黄色，半透明，其组成颗粒的平均粒径为12nm，为六方纤锌矿型结构。与氮化镓单晶相比，在该纳米固体的激光拉曼光谱上观察到了由于纳米尺寸效应而引起的E2(high)声子带的红移、带的宽化和新的声子带(656cm-1和714cm-1)的出现

关键词: 氮化镓 , 纳米固体 , 氨热法 , 激光拉曼光谱

Effect of Yb3+ concentration on upconversion luminescence of AlON:Er3+ phosphors

苏明毅 , 周有福 , 王坤 , 黄得财 , 许文涛 , 曹永革

稀土学报(英文版) doi:10.1016/S1002-0721(14)60407-5

关键词:

低维GaN纳米材料的最新研究进展

李镇江 , 李贺军 , 陈小龙 , 李克智 , 曹永革 , 李建业

稀有金属材料与工程

氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温、大功率、低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料.低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力.因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一.本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展.

关键词: 氮化镓 , 量子点(纳米晶) , 纳米线(纳米棒) , 制备方法