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用于空间激光通信的InGaAsP激光二极管辐射损伤研究

高欣 , 杨生胜 , 冯展祖 , 曹洲 , 马亚丽

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.249

对1.55μm波长DFB结构的InGaAsP多量子阱激光二极管开展电子和60Co-γ射线辐照试验。试验结果表明，激光二极管的斜度效率主要受带电粒子沉积的电离总剂量影响，而阈值电流和光功率主要受位移损伤剂量的影响。利用位移损伤剂量方法评价激光二极管的辐射损伤特征，并且预测其在空间辐射环境中的光功率衰退...

关键词: 光电器件 , 辐射效应 , 位移损伤 , 总电离剂量