李超
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孙江燕
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韩赢
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曹海勇
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孙红旗
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李明
电镀与涂饰
研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.
关键词:
铜微凸点
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电镀
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整平剂
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电子封装
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表面形貌
季春花
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凌惠琴
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曹海勇
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李明
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毛大立
电镀与涂饰
研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)2 40 g/L、甲基磺酸60 g/L及Cl- 50 mg/L组成)中氯离子的作用机理.采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响.结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用；在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果.因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率.
关键词:
硅通孔
,
铜互连
,
电镀
,
氯离子
,
甲基磺酸盐
