王颖
,
吴春瑜
,
曹菲
,
刘云涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.028
建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型,对其进行了工艺模拟和器件模拟.模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素.通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的杂质总量,降低GCT的通态压降.n 基区 的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显,辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求.
关键词:
缓冲层
,
透明阳极
,
通态压降
,
寿命控制
陈莹
,
董显林
,
高敏
,
梁瑞虹
,
曹菲
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.040
采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料,并对样品的结构及其介电性能进行了表征与分析,讨论了Mg2SiO4/MgO掺杂对BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料结构和性能的影响.结果表明,与前其他掺杂改性的BSTO复合材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料不仅可以在较低的温度烧结致密,而且在介电常数降低的同时,仍能保持较高的可调性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介电常数εr为～80.21,在2kV/mm的直流偏置电场下,其可调性达到～12%,介电损耗为～0.003.
关键词:
钛酸锶钡
,
复合材料
,
介电性能
,
可调性
曹盛
,
毛朝梁
,
姚春华
,
曹菲
,
王根水
,
董显林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12636
采用固相反应法制备了Y掺杂(Ba0.6Sr0.3Ca0.1) 1-xYxTi0.999Mn0.001O3(0≤x≤0.007)陶瓷,重点研究了Y含量对BSCT基陶瓷的显微结构、介电性能和热释电性能的影响.结果表明:随着Y含量的增加,BSCYxTM陶瓷的平均晶粒尺寸逐渐减小,介电常数、介电损耗、居里温度和热释电系数均呈现先增加后减小的趋势.当Y掺杂量为0.7mol％时,BSCYxTM陶瓷的平均晶粒尺寸最小为3.1 μm,且探测优值Fd较大,最大值可达8.22×10-5 pa-1/2(700 V/mm,30℃),高于采用溶胶-凝胶法制备的同组分陶瓷的探测优值5.91×10-5 pa-1/2.
关键词:
(Ba,Sr,Ca)TiO3
,
陶瓷
,
介电性能
,
热释电性能
