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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响

刘金铭 , 赵小如 , 赵亮 , 张安 , 王丹红 , 邵继峰 , 曹萌萌 , 常晓

人工晶体学报

采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85%.

关键词: 溶胶-凝胶法 , Al掺杂ZnO(ZAO) , 热处理 , 晶体结构 , 光电性能

Co掺杂β-FeSi2化合物的热电性能及电子结构的第一性原理研究

李翔 , 周园 , 任秀峰 , 年洪恩 , 曹萌萌

人工晶体学报

采用机械合金化结合后续热处理成功制备出Fe1-xCoxSi2化合物,探讨Co掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波方法对Co掺杂前后β-FeSi2的电子结构进行计算.结果表明:Co元素掺杂量x应控制在0-0.05之间;β-FeSi2的费米面位于价带顶,其电阻率随温度升高而降低,为非简并半导体;Co掺杂后费米面进入导带底,使其成为n型简并半导体,电阻率较掺杂前大幅度降低;本实验条件下,热电性能检测发现,当x=0.03,温度873 K时,试样的功率因子达到最大值为60μW·m-1·K-2.

关键词: Fe1-xCoxSi2 , 机械合金化 , 热电性能 , 能带结构 , 态密度

Mg2Si基热电材料的制备与掺杂研究现状

曹萌萌 , 周园 , 任秀峰 , 年洪恩 , 李翔

硅酸盐通报

热电材料是一种性能优越的环境友好型材料,它能够直接把电能和热能相互转化,是目前新技术能源材料领域的关键材料.Mg2Si基半导体是一种新型的中温区热电材料,具有热电值高,原料无毒害等优点,由于镁的活性较高,如何制备出性能更加优良的Mg2Si基块体热电材料成为本领域研究的重点.本文简要介绍了Mg2Si基热电材料的基本性质,阐述其各种制备方法和掺杂研究现状,并展望其未来研究方向.

关键词: Mg2Si基热电材料 , 制备 , 掺杂

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