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单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响

麻华丽 , 张新月 , 杜银霄 , 陈雷明 , 茹意 , 张锐 , 曾凡光 , 刘波 , 刘凯 , 梁浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.007

本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni -P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究.结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好.

关键词: 化学镀 , N型Si , P型Si , Ni -P膜

硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

曾凡光 , 李昕 , 左曙 , 夏连胜 , 谌怡 , 刘星光 , 张篁 , 张锐

功能材料

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.

关键词: 热解法 , 碳纳米管薄膜 , 强流脉冲发射 , 峰值电流密度

缓冲层对碳纳米管强流脉冲发射特性的影响

麻华丽 , 李昕 , 刘卫华 , 乔淑珍 , 张锐 , 曾凡光 , 夏连胜 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.012

为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni - CNTs和Si - CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试.实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强.在峰值为~10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si - CNTs的5.0V/μm下降到Ni - CNTs的4.3 V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si - CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni - CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni - CNTs的峰值电流比Si - CNTs提高了1.3倍.

关键词: 强流脉冲发射 , 化学镀 , Ni缓冲层 , 碳纳米管

新型高温超导复合材料的制备及其电磁、摩擦学性能研究

陈雷明 , 徐斌 , 张新月 , 张燕 , 张理涛 , 曾凡光 , 张锐

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.020

采用热压技术制备出 YBCO/CU 高温超导复合材料,复合材料中超导相的结构未受破坏,并且由于Cu 的存在改善了材料的机械性能,因此相对于常规材料,该复合材料具有特殊的低温电磁学性能,并在低温下表现出与超导状态密切相关的摩擦学性能。

关键词: 复合材料 , 高温超导 , 热压技术

微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性

麻华丽 , 张新月 , 霍海波 , 曾凡光 , 王淦平 , 向飞

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.026

采用酞菁铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二板结构对其强流脉冲发射特性进行了研究.研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定.

关键词: 强流脉冲发射 , 碳纳米管 , 微立方阵列 , 线性增加 , 稳定性

钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究

曾凡光 , 刘兴辉 , 朱长纯 , 王文卫

功能材料

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm.XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内.其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2左右.

关键词: , 多孔硅 , 场发射

3D基底上碳纳米管场发射Ⅰ-Ⅴ特性建模与计算

霍海波 , 麻华丽 , 丁佩 , 曾凡光

功能材料与器件学报

利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强.

关键词: 场发射 , 立体结构 , 有限元

基于场发射三极管的设计及性能研究

张新月 , 麻华丽 , 曾凡光 , 姚宁 , 张兵临

功能材料

采用微波等离子体化学气相沉积法在不锈钢衬底上制备出了纳米非晶碳和碳纳米管混合薄膜,二极管结构测试表明薄膜材料具有优良的场发射性能.利用制备的薄膜材料作为阴极制作了前栅极结构的场发射三极管器件并对其性能进行了测试.结果表明该器件具有优良的栅控性能,亮度很高,有良好的应用前景.

关键词: 场发射三极管 , 前栅极 , 纳米非晶碳和碳纳米管

两种微结构阵列上碳纳米管薄膜强流脉冲发射比较

麻华丽 , 霍海波 , 曾凡光 , 向飞 , 王淦平

人工晶体学报

为比较不同微结构对于碳纳米管冷阴极电流发射能力的增强效果,采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在两种不同单元尺度的微结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并在20 GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了比较研究.基底微结构阵列的单元尺度为10 μm×20μm(其中微锥底边长为20μm,单元节距为30 μm)和20 μm × 20 μm.结果表明:在相同的峰值电场下,基底微结构阵列的单元尺度越小,CNTs薄膜的强流脉冲发射电流越大;且随着峰值电场的增加,单元尺度越小,CNTs薄膜的发射电流的增长速度越快.

关键词: 碳纳米管 , 强流脉冲发射 , 立体微结构 , 单元尺度

三极小型场发射显示器的半圆组阴栅结构优化制作

李玉魁 , 王凤歌 , 刘兴辉 , 曾凡光

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132803.0305

对钠钙平板玻璃进行切割形成后封装面板.结合高效的丝网印刷技术,在后封装面板上制作了半圆组阴栅结构.烧结的银浆层用于形成导电电极组中的双长条电极,而固化的绝缘浆料则用于构成绝缘层.碳纳米管直接制备在长条电极的表面,呈现双半圆形状,用于进行电子发射.栅极则是固定在碳纳米管阴极的上方,栅极和阴极之间依靠栅极基底而相互隔离.测试结果表明,应用半圆组阴栅结构,能够进一步降低阴极-栅极之间的电容效应,提高碳纳米管的电子发射能力,并增强三极场发射显示器的驱动灵活性.以碳纳米管作为阴极材料,进行了三极结构小型场发射显示器的研制.该三极显示器具有良好的场致发射特性,高的发光亮度以及优良的发光图像均匀度,其开启场强约为2.12 V/μm,且制作成本低廉.

关键词: 制作 , 阴极 , 场发射 , 封装面板

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