丁瑞钦
,
朱慧群
,
曾庆光
,
林民生
,
冯文胜
,
梁毅斌
,
梁满堂
,
梁达荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.031
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.
关键词:
磷扩散
,
p型ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
异质ZnO p-n结
陈锋
,
罗坚义
,
许友鑫
,
王悦林
,
曹智
,
曾庆光
,
卿宁
人工晶体学报
采用一种无催化、两步蒸镀的方法在石英片上生长TiO2纳米线.此方法通过高温蒸发Ti粉,沉积一层高活性的种子层,再低温通入氧气对种子层氧化形成TiO2纳米线.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱技术等表征了生长TiO2纳米线薄膜的形貌和结构.结果表明:纳米线的直径为10 ～ 50 nm,长度为1～2 μm,随着第二次蒸镀温度的增加,二氧化钛纳米线晶相从锐钛矿转变成金红石相,其相变温度点在800℃附近.最后讨论了在无催化两步蒸镀法中TiO2纳米线的生长机理.
关键词:
二氧化钛
,
纳米线
,
两步蒸镀法
,
生长机理
曾庆光
,
乐天
,
蔡进军
,
丁泽军
,
刘剑
,
盛业青
,
王忆
人工晶体学报
以TiO_2∶Eu纳米颗粒为原材料,采取水热和高温(700 ℃)退火的方法合成了铕掺杂钛纳米棒(简写成Eu∶Ti 纳米棒).其结构和光学性能用场发射扫描电镜,显微共聚焦激光拉曼光谱,稳态荧光以及寿命谱进行表征.场发射扫描电镜图片显示纳米棒的直径大约为30 nm,长度大约为300~600 nm.显微共聚焦激光拉曼光谱测试结果表明纳米棒中含有部分锐钛矿结构.稳态荧光光谱显示纳米棒的发光强度明显比纳米颗粒的强度强,而且发光谱线也不同.检测Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁(发光峰位在612 nm)的发光强度,采用394 nm激发,发现纳米棒的寿命比纳米颗粒的长120 μs.
关键词:
纳米棒
,
荧光
,
寿命
丁瑞钦
,
曾庆光
,
陈毅湛
,
朱慧群
,
丁晓贵
,
齐德备
人工晶体学报
在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.
关键词:
p型ZnO薄膜
,
磷扩散法
,
磁控溅射工艺
乐天
,
曾庆光
,
张梅
,
沙为超
,
罗坚义
,
龙拥兵
人工晶体学报
采用水热法合成了Tb3+和Eu3+共掺的2ZnO·2.2B2O3 ·3H2O红色荧光粉.通过固定Eu3+的掺杂浓度为3％(物质的量比:Eu∶ Zn=3％),改变Tb3+的掺杂浓度(2％～15％),研究Tb3+掺杂浓度对红色荧光粉晶相结构和光学性能的影响.用X射线衍射和荧光光谱仪对样品的结构和发光性能进行表征,结果表明:随着Tb3+掺杂浓度的升高,样品由晶态向无定形的玻璃态转变；Eu3+的发光强度也逐渐增强；Tb3+与Eu3+之间存在能量传递的过程,且当采用不同的激发波长(220 nm和393 nm)激发时,其能量传递的过程也不一样.
关键词:
水热法
,
硼酸锌
,
发光
,
能量传递
罗坚义
,
曾庆光
,
龙拥兵
,
王忆
,
何鑫
,
张梅
材料导报
首先介绍了氧化钨薄膜的气致变色效应及其潜在的应用,然后概述了氧化钨气致变色机理的双注入模型和氧空位扩散模型及其存在的争议性问题,并在此基础上介绍了由本研究组发展的气致变色结构水分子模型.最后,指出氧化钨薄膜气致变色机理的研究工作不仅有助于人们更好地理解薄膜材料的变色效应,有效地提高变色器件的性能,同时也能推动相关学科(如氢的储存、氢的探测、离子传输材料以及半导体表面催化等学科)的发展.
关键词:
氧化钨薄膜
,
气致变色机理
,
WO3纳米线
,
结构水分子
罗坚义
,
周洋洋
,
陈润明
,
曾庆光
,
张梅
人工晶体学报
本文首先探索热蒸发法制备高质量WO3薄膜的工艺参数,分别从基片类型,基片温度和蒸发速率三方面讨论和分析成膜的质量,获得在ITO玻璃基片最佳的蒸镀条件为蒸发电流为110 A,基片温度为250℃.其次,应用高质量WO3薄膜于全固态电致变色器件结构中,获得了良好的变色性能,实现逐段控制的数码显示效果.研究结果表明高质量WO3薄膜在电致变色器件,特别是双面显示器件方面具有潜在的应用前景.
关键词:
WO3薄膜
,
热蒸发
,
电致变色
,
双面数字显示
张梅
,
朱刚强
,
陈立忍
,
何鑫
,
曾庆光
人工晶体学报
本文采用传统的高温固相法在还原气氛下合成白光发光二极管用Sr3SiO5∶Eu2荧光粉,利用X-射线粉末衍射(XRD)和荧光光谱(PL)进行表征,研究不同助熔剂对所合成荧光粉发光性能的影响,并将荧光粉与蓝光GaN芯片封转成荧光转化的LED,研究荧光粉在发光二极管中的应用效果.实验结果表明,采用NaF和BaF2作助熔剂与加入H3BO3所合成的Sr3SiO5∶ Eu2+相比,有助于荧光粉结晶,使其具有更加优异的发光性能;封装后的白光发光二极管的特性也进一步表明,适量氟化物助溶剂的使用,可以优化白光发光二极管用黄色荧光粉的发光性能.
关键词:
Sr3SiO5
,
荧光粉
,
助熔剂
,
发光二极管
乐天
,
曾庆光
,
盛业青
,
张梅
,
侯亮
,
陈锋
人工晶体学报
采用水热法,通过氨水调节前驱液的pH值,制备了一系列2ZnO·2.2B2O3·3H2O∶ Eu3+样品.对所制备的样品进行X射线衍射和荧光光谱分析.研究结果表明:前驱液的pH值影响2ZnO·2.2B2O3·3H2O的结晶程度,在中性条件下制备的样品结晶度最好.当前驱液的pH =5.7时,激发光谱中的Eu-O电荷迁移带的峰位波长最大(262nm),这可能是由于在此条件下合成的样品中Eu-O键长最长.发射光谱表明:当前驱液的pH ＞5.7时,Eu3的发射光谱中的红橙比(I614/I589)随pH值的增大而增大,且当前驱液的pH值在5.7 ～6.9区间,红橙比(I614/I589)随pH值的增大的速率要比pH值在6.9～9.3之间增加的速率要快.另外,随着pH值的增大,样品的发光强度呈先增大后减小的变化趋势.当前驱溶液pH =8.1时,样品的发光强度最大.
关键词:
水热法
,
pH值
,
发光强度
陈锋
,
张梅
,
何鑫
,
罗坚义
,
曾庆光
,
卿宁
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.029
使用荧光粉和硅胶制备荧光膜,然后与455 nm蓝光芯片模组组装成高功率的白光LED器件.采用吸收光谱、荧光光谱和电致发射光谱等对荧光膜和器件进行表征,研究了红色荧光粉与黄色荧光粉的比例对器件性能的影响.结果表明:所制备的荧光膜表面平整、荧光粉分散均匀.Y3Al5012∶Ce3+(YAG)荧光膜的吸收光谱峰分别位于337 nm和450 nm左右,与YAG荧光粉中Ce3+的f-d跃迁吸收对应,且当荧光膜厚度为1.00 mm时制备出的功率为2.8W左右的LED模组光色参数较好.将不同比例红色荧光粉和黄色荧光粉按上述厚度和条件制备高显色荧光膜和低色温4460 K、高显色指数91.7的白光LED器件.
关键词:
无机非金属材料
,
白光发光二极管
,
模组封装
,
荧光膜
