材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法

曾昱嘉 , 叶志镇 , 袁国栋 , 黄靖云 , 赵炳辉 , 朱丽萍

材料导报

论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能.

关键词: p-ZnO H钝化 共掺 缓冲层

Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm²/(V·s), 空穴浓度为4.92×10¹⁷/cm³. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , magnetron sputtering , codoping

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

曾昱嘉 , 叶志镇 , 吕建国 , 李丹颖 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N₂O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×10¹⁷cm^-3,电阻率为28.3Ω·cm.

关键词: P-ZnO , magnetron sputtering , codoping

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

曾昱嘉 , 叶志镇 , 吕建国 , 李丹颖 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.038

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词