张晋敏
,
谢泉
,
余平
,
张勇
,
肖清泉
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杨子义
,
梁艳
,
曾武贤
功能材料
用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响.测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相α-FeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高.
关键词:
磁控溅射
,
激光扫描退火
,
结晶性质
,
显微结构
张晋敏
,
谢泉
,
梁艳
,
曾武贤
材料研究学报
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强, 从而形成不同化学计量比的Fe--Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si. 同时, 质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中, 薄膜有氧化现象, 随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发, 样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
张晋敏
,
谢泉
,
梁艳
,
曾武贤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.03.014
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰,873K退火后,界面附近Fe、si原子开始相互扩散,973K退火后富金属相Fe1+xSi形成,而1073K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi2,即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强,从而形成不同化学计量比的Fe-Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si.同时,质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中,薄膜有氧化现象,随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发,样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
原子扩散
,
卢瑟福背散射
,
Fe-Si化合物
