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器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管

寺地德之 , 入江正丈 , 远藤城一 , 木村谦一 , 王春蕾 , 伊藤利道

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.018

用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜，并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率，把甲烷浓度设定在4％。薄膜上的生长丘的数 量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分 光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显 示了P型整流特性,击穿电压高于380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性 能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。

关键词: 击穿电压 , 铝肖特基二极管 , CVD金刚石膜