王磊
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屠海令
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朱世伟
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陈兴
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杜军
中国有色金属学报
采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶,分别在液氮冷却至200 K的高定向石墨(HOPG)和单晶Si(100)衬底上制备分散单晶Si纳米颗粒.采用拉曼谱(Raman)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析证实Si纳米晶粒的形成.结果表明:所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性,相应的光致发光峰位出现在585 nm,峰值半高宽为70 nm;与相同参数下常温衬底的结果相比,所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象;Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因.
关键词:
纳米Si颗粒
,
窄发光带
,
脉冲激光烧蚀
,
尺寸分布
,
光致发光
陈兴
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王磊
,
朱世伟
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.016
采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀金刚石结构多晶Ge靶材, 选取合适的靶与衬底间的距离、氩气压力以及沉积时间, 在单晶Si(100)衬底上首次制备了四方结构的Ge纳米颗粒, 扫描电子显微镜表征显示这些Ge纳米颗粒有橄榄球状的外形. 透射电子显微镜和选区电子衍射结果显示, 这些橄榄球状的Ge纳米颗粒是四方结构的单晶. 而这些Ge纳米颗粒的形成是由于脉冲激光击打Ge靶产生的小的团簇在局域高温的作用下生成四方结构的团簇, 而这些四方结构的团簇和Ar气原子发生碰撞并聚集到一起形成橄榄球状Ge纳米颗粒.
关键词:
脉冲激光烧蚀
,
橄榄球状
,
Ge纳米颗粒
,
四方结构
陈兴
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王磊
,
朱世伟
,
杜军
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2009.04.001
用乙醇还原法制备了PVP包裹的Pt纳米颗粒.X射线衍射(XRD)显示了Pt纳米颗粒的衍射谱与块体铂相同.用X射线吸收谱(XAS)对Pt纳米颗粒的近邻结构进行了研究,发现Pt纳米颗粒的配位数和晶胞参数减小.Pt-L_(2,3)"白线"强度增加,模拟纳米颗粒表面效应的XANES计算不能重现Pt-L_(2,3)实验谱,因此作者把"白线"强度的改变归结为Pt纳米颗粒的重构.
关键词:
材料科学
,
铂纳米颗粒
,
透射电子显微镜
,
X射线衍射
,
X射线吸收谱
