李黎
,
鲁东奎
,
郭乔
,
高帅
,
曾科
,
武迪蒙
,
朱俊
,
赵永超
,
申小华
,
杨刚
高分子材料科学与工程
合成了一种新型的含邻苯二甲腈基团的二胺4-（2,4-二氨基苯氧基）邻苯二甲腈（CNDA）,将它与苯甲酰氯和间苯二甲酰氯反应,分别合成了溶解性能良好的酰胺模型化合物（b-CNPA）和酰胺聚合物（m-CNPA）,并分别在265℃和275℃对它们进行热固化反应。热重分析（TGA）,差示扫描量热分析（DSC）和红外光谱（FT-IR）对固化前后的b-CNPA和m-CNPA进行了对比研究,发现一定条件下的热处理可以实现侧链氰基的固化交联,热固化后的b-CNPA和m-CNPA的热分解温度和残炭率升高,在375℃没有玻璃化转变温度出现,热稳定性和耐热性能提高,且热固化后的b-CNPA和m-CNPA溶解性能下降明显,耐溶剂性能得到一定改善。
关键词:
聚酰胺
,
邻苯二甲腈
,
固化反应
,
芳香族二胺
朱新波
,
方晓东
,
邓赞红
,
董伟伟
,
王时茂
,
邵景珍
,
胡林华
,
朱俊
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12089
利用水热法在不同条件下在ITO-PET(tin-doped indium oxide polyethylene terephthalate)上制备氧化锌纳米棒阵列, 通过一些定量的参数, 如纳米棒的直径、长度和棒密度来表征纳米棒的形貌. 通过改变反应条件可以调节上述参数. 分别讨论了两个重要条件: 反应时间和前驱体浓度. 研究表明前驱体浓度对长径比有重要影响. 柔性基底上的氧化锌纳米棒作为染料敏化电池的新型光阳极, 长径比的改变对柔性电池有重要的影响. 可通过调节反应条件来提高柔性染料敏化电池的性能.
关键词:
氧化锌纳米棒阵列; 水热; 柔性; 染料敏化太阳能电池
朱新波
,
方晓东
,
邓赞红
,
董伟伟
,
王时茂
,
邵景珍
,
胡林华
,
朱俊
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12089
利用水热法在不同条件下在ITO-PET(tin-dopedindiumoxidepolyethyleneterephthalate)上制备氧化锌纳米棒阵列,通过一些定量的参数,如纳米棒的直径、长度和棒密度来表征纳米棒的形貌.通过改变反应条件可以调节上述参数.分别讨论了两个重要条件:反应时间和前驱体浓度.研究表明前驱体浓度对长径比有重要影响.柔性基底上的氧化锌纳米棒作为染料敏化电池的新型光阳极,长径比的改变对柔性电池有重要的影响.可通过调节反应条件来提高柔性染料敏化电池的性能.
关键词:
氧化锌纳米棒阵列
,
水热
,
柔性
,
染料敏化太阳能电池
张茹
,
朱俊
,
程凤敏
,
丁铁柱
,
高强强
,
李东东
,
刘晓玺
人工晶体学报
用同族元素Al和Fe取代CulnGaSe2薄膜中的In和Ga元素.采用粉末冶金工艺制备CuAlSe2和CuAlSe2∶Fe光伏吸收层薄膜.依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析.结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高.薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长.CuAlSe2薄膜和CuAlSe2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105 cm-1,且随着掺Fe比例增加而增加.未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6 eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8 eV.
关键词:
CuAlSe2
,
CuAlSe2∶Fe
,
光学特性
李理
,
朱俊
,
李扬权
,
经晶
,
周文
,
罗文博
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°.原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm.四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1/962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
Pt薄膜
,
电学性能
,
表面形貌
,
蓝宝石衬底
接文静
,
朱俊
,
魏贤华
,
张鹰
,
罗文博
,
艾万勇
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜.在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现 (400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长.原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰.后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状.在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长.
关键词:
CCTO薄膜
,
PLD
,
取向生长
,
RHEED
朱俊
,
张兴元
功能材料
通过熔融后冰水淬火和热处理方法制备了δ'晶型和α晶型的尼龙11薄膜试样.在42Hz～5MHz频率范围测得了室温至150℃的介电松弛频率谱,研究了二种晶型的尼龙11在室温以上的分子链运动.结果发现,尼龙11在δ'→α晶型转变之后,由HavriliakNegami经验公式拟合得到的分子链段和局域运动的松弛强度都减小,松弛时间则增大,表明退火之后尼龙11的分子链运动受到了抑制.
关键词:
尼龙11
,
晶型转变
,
介电松弛
,
分子链运动
丁美凤
,
朱俊
,
王水力
,
张菲
,
罗文博
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°.扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状.振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
BaM薄膜
,
MgO缓冲层
,
面外磁性能
王小平
,
朱俊
,
罗文博
,
张鹰
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.
关键词:
BIT
,
剩余极化
,
a轴择优
赵丹
,
朱俊
,
罗文博
,
魏贤华
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在SrTiO3(100)衬底上在650℃、10Pa N2条件下成功制备了立方结构的AlN薄膜.高能电子衍射(RHEED)及X射线衍射(XRD)分析表明立方AlN和SrTiO3的外延关系为AlN[100]∥SrTiO3[100]和AlN(200)∥SrTiO3(100).其AlN(200)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)为0.44°,说明薄膜结晶性能良好.原子力显微镜(AFM)表明外延的立方AlN薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)为0.674nm.通过X光电子能谱(XPS)分析AlN薄膜表面成分,结果表明AlN薄膜表面没有被氧化.
关键词:
立方AlN
,
脉冲激光沉积
,
SrTiO3
