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SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究

朱华超 , 满宝元 , 庒惠照 , 刘玫 , 薛成山

功能材料

用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.

关键词: 脉冲激光沉积 , 氮化镓薄膜 , 碳化硅缓冲层 , 退火