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蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长

孙澜 , 陈平 , 韩平 , 郑有炓 , 史君 , 朱嘉 , 朱顺明 , 顾书林 , 张荣

功能材料

采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的...

关键词: 化学气相淀积 , 6H-SiC , 蓝宝石 , 低温生长