刘佳
,
朱昌
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.01.015
为制备光学性能良好的TiO2薄膜.采用离子束溅射(IBS)的方法,改变退火温度,在Si基底上制备氧化钛(TiO2)薄膜.利用XRD、XPS、SEM测试薄膜的成分、结晶形式和表面形貌,椭圆偏振光谱仪分析薄膜折射率和消光系数.试验结果发现:随退火温度的增加,薄膜由锐钛矿相变为金红石相,400℃薄膜结晶为锐钛矿相TiO2,1 100℃退火后,薄膜结晶为金红石相TiO2;退火温度升高使薄膜折射率和消光系数随之升高.由此可得, 800℃退火时,TiO2薄膜具有最佳光学性能.
关键词:
TiO2
,
退火温度
,
结晶
,
光学性能
,
薄膜
,
离子束溅射
潘永强
,
朱昌
,
弥歉
,
方勇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.009
本文通过对端部霍尔离子源特性的研究,采用自行研制的用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源成功镀制了类金刚石膜,并对采用该离子源制备类金刚石膜的工艺进行了研究和分析.实验结果表明,采用端部霍尔离子源镀制类金刚石膜不仅操作简单、可实现大面积沉积,而且类金刚石膜的沉积速率较大,最大可达0.8nm/s,其折射率依不同工艺在1.8～2.2之间可调.并对不同工艺条件下制备的类金刚石膜的硬度进行了测试和分析.
关键词:
端部霍尔离子源
,
类金刚石膜
,
红外光谱
朱春燕
,
朱昌
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.006
为了制备光学性能良好的AlN薄膜.采用磁控反应溅射法制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用椭圆仪、分光光度计、傅立叶变换光谱仪对AlN薄膜进行了相关光学性能的分析.结果表明:在波长为400～1100nm时,AlN薄膜的折射率为2.0～2.4,透过率都在88%以上;在200～300nm远紫外光范围内,薄膜具有强烈的吸收;在红外吸收光谱中,677cm-1处存在1个强烈的吸收峰,说明薄膜中已经形成了AlN.
关键词:
氮化铝薄膜
,
折射率
,
透过率
,
红外光谱
,
磁控反应溅射法
戚云娟
,
朱昌
,
梁海峰
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.05.005
采用反应磁控溅射法在k9玻璃基底上沉积ZrO2薄膜.用轮廓仪、椭圆偏振仪和分光光度计,分别测试薄膜的厚度、折射率、消光系数和透过率,研究了不同氧流量对薄膜沉积速率和光学特性的影响.结果表明:随着氧气流量增加到22～24 mL/min(标准状态下)时,沉积速率从6.8 nm/s下降到2.5 nm/s,并趋于稳定；在入射波长630 nm处,薄膜的折射率为1.95,消光系数小于10-5；在可见及近红外波段,薄膜平均透过率高于80％.
关键词:
ZrO2薄膜
,
反应磁控溅射
,
氧流量
,
光学特性
