汪梅林
,
张其国
,
郑永亮
,
秦永亮
,
郭晓东
,
潭莉
,
朱棋锋
,
韩学斌
,
申剑锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122701.0038
讨论了有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)作为开关器件来驱动电子纸的像素设计,特别是像素电路结构、HSPICE模拟用模型参数和像素平面结构.讨论了有机薄膜晶体管制造过程,并用HSPIC模拟分析了有机薄膜晶体管结构和存贮电容大小对像素波形的影响,结果表明TFT结构的选择依赖于存贮电容的大小.
关键词:
电子纸
,
有机薄膜晶体管
,
像素设计
洪飞
,
谭莉
,
朱棋锋
,
向长江
,
韩学斌
,
张其国
,
郭晓东
,
申剑锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0313
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT).在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多.在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6 cm2/V·s.研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
顶栅结构
,
弱外延
,
氧钒酞菁
全宇军
,
邱法斌
,
朱棋锋
,
全宝富
,
徐宝琨
功能材料
以常规廉价试剂作为原材料,采用溶胶-凝胶法合成了纳米晶NASICON材料,对材料的测试结果表明经800℃烧结的材料已经具有高的相纯度,而当温度进一步提高到1000℃时,所制备得到的材料具有良好的结晶特性和相对更高的相纯度.论文进而考察了合成材料时烧结温度和烧结周期对NASI-CON固体材料致密度的影响,同时复阻抗谱测试显示,较高致密度的材料具有较低的电阻和较强的固态离子传导能力.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
NASICON
,
温度
,
周期
,
密度
朱棋锋
,
邱法斌
,
王永为
,
全宇军
,
徐宝琨
功能材料
采用以无机盐为基础的新型溶胶-凝胶法合成了NA-SICON快离子导体材料.在其它原料相同的情况下,分别采用硝酸和草酸作为回溶剂和原溶液酸度调节剂合成了NASICON材料.利用XRD等分析测试手段对合成产物进行了对比研究,对两种酸在反应温度和相结构的影响情况进行了讨论.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
草酸
,
硝酸
,
NASICON
朱棋锋
,
邱法斌
,
全宇军
,
王永为
,
全宝富
,
徐宝琨
无机材料学报
以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料,采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料,利用TG-DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试,结果表明,NASICON相结构的形成温度范围为750～890℃.实验中重点对800～1000℃烧结所得纳米晶材料进行了表征.目的产物的XRD、FT-IR、FE-SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示,采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料.材料电学特性测试结果表明,所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能,其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系,并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率.
关键词:
纳米晶固体材料
,
NASICON
,
sintering temperature
,
densification
朱棋锋
,
邱法斌
,
全宇军
,
王永为
,
全宝富
,
徐宝琨
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.011
以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料,采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料,利用TG-DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试,结果表明,NASICON相结构的形成温度范围为750～890°C.实验中重点对800～1000°C烧结所得纳米晶材料进行了表征.目的产物的XRD、FT-IR、FE-SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示,采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料.材料电学特性测试结果表明,所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能,其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系,并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率.
关键词:
纳米晶固体材料
,
NASICON
,
烧结温度
,
致密化
