代国红
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皮厚礼
,
熊永红
,
任忠明
,
张炯
,
朱永丹
,
熊曹水
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.006
采用传统的固相反应法制备出了高质量的La0.7-xEuxCa0.3MnO3(其中x＝0.00,0.05,0.10,0.15,0.20)系列样品,并对其进行了XRD,电阻-温度测量. 实验结果表明,随着Eu掺杂量的增加,样品的金属-绝缘体转变温度朝低温附近移动,峰值电阻增加. 通过对A位平均离子半径和尺寸无序度的计算,我们发现,由Eu掺杂导致A位平均离子半径〈rA〉减小,尺寸无序度σ2增大,使晶格畸变加剧,从而削弱了eg巡游电子在Mn3+和Mn4+之间的跃迁,同时促进了自旋极化子的形成. 我们还对样品电阻-温度曲线的高温部分进行了拟合,对于x=0.00的样品, 曲线可以用非绝热近似下的小极化子模型拟合; 当掺杂量为x=0.05, 0.10, 样品的导电机理符合变程跳跃模型; 进一步加大掺杂量,当x=0.15, 0.20时,样品的电输运行为可以用晶格极化子与自旋极化子共存来解释.
关键词:
金属-绝缘体转变
,
电阻-温度曲线
,
稀土金属掺杂
谭兴毅
,
李强
,
朱永丹
,
左安友
人工晶体学报
运用密度泛函理论,计算了Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度.能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;NaZn、Sbzn-2NaZn体系为p型半导体材料;Sbzn-NaZn、SbZn-3NaZn体系为本征半导体材料.对p型半导体材料体系的导电性能研究发现,Sbzn-2Nazn体系电导率大于NaZn体系的电导率,即Sbzn-2NaZn掺杂改善了体系的导电性.计算结果为实验制备p型ZnO材料提供了理论指导.
关键词:
p型ZnO
,
电子结构
,
导电性能
胡诚
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张婷婷
,
来国红
,
邱达
,
张昌华
,
朱永丹
人工晶体学报
利用脉冲激光沉积法在0.7％ Nb∶ SrTiO3衬底上制备了Co∶ ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结器件.该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控.结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Pt/Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结
,
阻变
,
氧空位
,
磁性
