杨茹
,
李国辉
,
仁永玲
,
阎凤章
,
朱红清
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.035
研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.
关键词:
Ge/GaAs
,
吸收倍增分离
,
雪崩光电二极管(APD)
