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O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

马艳 , 杜国同 , 杨树人 , 李正庭 , 李万成 , 杨天鹏 , 张源涛 , 赵佰军 , 杨小天 , 刘大力

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005

采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,...

关键词: ZnO薄膜 , MOCVD , PL谱

采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

张源涛 , 崔勇国 , 张宝林 , 朱慧超 , 李万成 , 常遇春 , 杨树人 , 杜国同

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学...

关键词: ZnO薄膜 , Si衬底 , PL谱 , 异质结

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